MOSFET Infineon, canale N 120 V, 4.8 mΩ Miglioramento, 100 A, TO-263, Superficie IPB100N12S305ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3796
Codice costruttore:
IPB100N12S305ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

139nC

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza OptiMOS-T Infineon è una modalità di potenziamento del livello normale a canale N. Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

Certificazione AEC

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

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