MOSFET Infineon, canale Tipo N Miglioramento, 120 A, TO-263, Superficie IPB120N06S403ATMA2

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

6,17 €

(IVA esclusa)

7,528 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 984 unità in spedizione dal 26 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 183,085 €6,17 €
20 - 482,59 €5,18 €
50 - 982,405 €4,81 €
100 - 1982,255 €4,51 €
200 +2,095 €4,19 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
260-5118
Codice costruttore:
IPB120N06S403ATMA2
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Serie

iPB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET di potenza optiMOS a canale N Infineon forniscono un'eccellente carica del gate. Ha la massima capacità di corrente. Questo transistor MOSFET a canale N funziona in modalità di potenziamento.

Modalità di potenziamento canale N

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

Testato al 100% a valanga

Link consigliati