MOSFET Infineon, canale N Miglioramento, 120 A, TO-263, Superficie IPB120N06S403ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
260-5118
Codice costruttore:
IPB120N06S403ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET di potenza optiMOS a canale N Infineon forniscono un'eccellente carica del gate. Ha la massima capacità di corrente. Questo transistor MOSFET a canale N funziona in modalità di potenziamento.

Modalità di potenziamento canale N

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

Testato al 100% a valanga

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