MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V N, 120 A, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 259-1545
- Codice costruttore:
- IPB038N12N3GATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,836 € | 1.836,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 259-1545
- Codice costruttore:
- IPB038N12N3GATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 120A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 120V | |
| Serie | iPB | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Modalità canale | N | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 120A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 120V | ||
Serie iPB | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Modalità canale N | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La famiglia Infineon 120V optimos offre allo stesso tempo le più basse resistenze in stato attivo del settore e il comportamento di commutazione più rapido, consentendo il raggiungimento di prestazioni eccezionali in un'ampia gamma di applicazioni. La tecnologia optimos da 120 V offre nuove possibilità per soluzioni ottimizzate.
Eccellenti prestazioni di commutazione
R DS(on) più basso al mondo
Q g e Q gd molto bassi
Eccellente carica gate x prodotto R DS(on) (FOM)
Conforme a RoHS, privo di alogeni
Grado di protezione MSL1 2
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