MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V N, 120 A, TO-263, Superficie IPB038N12N3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
259-1546
Codice costruttore:
IPB038N12N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Serie

iPB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Modalità canale

N

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La famiglia Infineon 120V optimos offre allo stesso tempo le più basse resistenze in stato attivo del settore e il comportamento di commutazione più rapido, consentendo il raggiungimento di prestazioni eccezionali in un'ampia gamma di applicazioni. La tecnologia optimos da 120 V offre nuove possibilità per soluzioni ottimizzate.

Eccellenti prestazioni di commutazione

R DS(on) più basso al mondo

Q g e Q gd molto bassi

Eccellente carica gate x prodotto R DS(on) (FOM)

Conforme a RoHS, privo di alogeni

Grado di protezione MSL1 2

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