MOSFET Infineon, canale N 100 V, 2 mΩ N, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 258-3785
- Codice costruttore:
- IPB020N10N5LFATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-3785
- Codice costruttore:
- IPB020N10N5LFATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 120A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | iPB | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione diretta Vf | 890mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 195nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 313W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 120A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie iPB | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Tensione diretta Vf 890mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 195nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 313W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie iPB, tensione massima drain-source di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 120 A - IPB020N10N5LFATMA1
Questo MOSFET è un transistor di potenza a canale N ad alta corrente progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in ambienti termici impegnativi. Funziona in un'ampia gamma di ambienti e fornisce elevate prestazioni di conduzione per le applicazioni che richiedono una notevole corrente di drenaggio continua e un'energia di azionamento del gate moderata.
Caratteristiche e vantaggi:
• La bassa resistenza all'accensione riduce le perdite di conduzione per il funzionamento ad alta corrente
• L'elevata dissipazione di potenza consente una gestione sostenuta del carico a dissipazione elevata
• La robusta tensione nominale drain-source consente una commutazione sicura fino a 100 V
• L'ampia capacità di corrente di drenaggio continua supporta i sistemi a corrente elevata
• La carica di gate moderata bilancia la velocità di commutazione e le esigenze dell'azionamento del gate
• L'elevata dissipazione di potenza consente una gestione sostenuta del carico a dissipazione elevata
• La robusta tensione nominale drain-source consente una commutazione sicura fino a 100 V
• L'ampia capacità di corrente di drenaggio continua supporta i sistemi a corrente elevata
• La carica di gate moderata bilancia la velocità di commutazione e le esigenze dell'azionamento del gate
Applicazioni
• Adatto per blocchi di distribuzione dell'alimentazione CC ad alta corrente
• Ideale per alimentatori a commutazione in sistemi compatti
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono tolleranze di 100 V
• Può essere utilizzato per stadi di alimentazione di server e telecomunicazioni
• Adatto per convertitori industriali che operano a temperature elevate
• Ideale per alimentatori a commutazione in sistemi compatti
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono tolleranze di 100 V
• Può essere utilizzato per stadi di alimentazione di server e telecomunicazioni
• Adatto per convertitori industriali che operano a temperature elevate
Quali temperature ambientali può tollerare?
Funziona su un'ampia gamma da -55 °C a 150 °C, supportando il funzionamento sia a freddo che ad alta temperatura.
Come è confezionato per l'assemblaggio su circuito stampato?
È fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-263 progettato per installazioni di alimentazione montate su scheda.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate si applicano alle prestazioni di commutazione?
La carica totale del gate tipica è di 195 nC, che informa i requisiti di corrente gate-driver e di temporizzazione di commutazione.
Quali sono i limiti di sicurezza che regolano le escursioni da gate a sorgente?
La tensione gate-sorgente massima consentita è di 20 V e non deve essere superata per evitare lo stress del dispositivo.
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