MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 2 mΩ N, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB020N10N5LFATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3786
Codice costruttore:
IPB020N10N5LFATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

iPB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

313W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.89V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

195nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC 61249-2-21

Standard automobilistico

No

Il FET lineare OptiMOS Infineon è un approccio rivoluzionario per evitare il compromesso tra resistenza in stato attivo e funzionamento in modalità lineare nella regione di saturazione di un MOSFET in modalità potenziata. Offre l'avanguardia R DS(on) di un MOSFET a trincea insieme all'ampia area di funzionamento sicura di un MOSFET planare classico.

Elevata max. corrente di impulso

Elevata corrente d'impulso continua

Robusto funzionamento in modalità lineare

Basse perdite di conduzione

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