MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 6.3 mΩ, 120 A, TO-263, Montaggio su circuito stampato IRFB3307PBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
257-5799
Codice costruttore:
IRFB3307PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.3mΩ

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strongIRFET è ottimizzata per bassi RDS e capacità di corrente elevata. Ideale per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il catalogo completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori CC, sistemi di gestione delle batterie, inverter e convertitori CC-CC.

Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Contenitore di alimentazione a foro passante standard industriale

Corrente nominale elevata

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