MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 9 mΩ, 80 A, TO-263 IRFS3607TRLPBF
- Codice RS:
- 257-9426
- Codice costruttore:
- IRFS3607TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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| 50 - 120 | 1,436 € | 7,18 € |
| 125 - 245 | 1,358 € | 6,79 € |
| 250 - 495 | 1,178 € | 5,89 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9426
- Codice costruttore:
- IRFS3607TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 140W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 56nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Distrelec Product Id | 304-40-543 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9mΩ | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 140W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 56nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Distrelec Product Id 304-40-543 | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRFS di Infineon è costituita da mosfet di potenza HEXFET a canale n singolo da 75 V in un contenitore D2 Pak.
Migliore robustezza del gate, valanga e dv/dt dinamico
Capacità completamente caratterizzata e SOA a valanga
Capacità di diodo corpo dV/dt e dI/dt potenziata