MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 9 mΩ, 80 A, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 257-9405
- Codice costruttore:
- IRFR3607TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
1206,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,603 € | 1.206,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9405
- Codice costruttore:
- IRFR3607TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 56nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 140W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 56nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 140W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRFR di Infineon è costituita da mosfet di potenza HEXFET a canale n singolo da 75 V in un contenitore D Pak. La famiglia IR mosfet di mosfet di potenza utilizza processi al silicio collaudati che offrono ai progettisti un'ampia gamma di dispositivi per supportare varie applicazioni come motori c.c., inverter, SMPS, illuminazione, interruttori di carico, nonché applicazioni alimentate a batteria. I dispositivi sono disponibili in una varietà di contenitori per montaggio superficiale e a foro passante con ingombri standard industriali per una maggiore facilità di progettazione.
Struttura della cella planare per un'ampia SOA
Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz
Contenitore per montaggio superficiale standard industriale