MOSFET Infineon, canale N 75 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD90N03S4L03ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
249-6911
Codice costruttore:
IPD90N03S4L03ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon OptiMOS è un MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche. Il canale di funzionamento è N. È qualificato AEC Q101. MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco. Prodotto verde (conforme a RoHS) ed è testato al 100% a valanga.

Temperatura d'esercizio 175 °C

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