Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 9 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Codice RS:: 688-6923
Codice costruttore:: IRFB3607PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 9 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

4,02 €

(IVA esclusa)

4,905 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

5 unità pronte per la spedizione
Più 40 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Più 425 unità in spedizione dal 07 gennaio 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 45	0,804 €	4,02 €
50 - 120	0,538 €	2,69 €
125 - 245	0,496 €	2,48 €
250 - 495	0,466 €	2,33 €
500 +	0,434 €	2,17 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 688-6923
Codice costruttore:: IRFB3607PBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	80A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	75V
	Serie	HEXFET
	Tipo di package	TO-220
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	9mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	56nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	140W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	4.82 mm
	Altezza	9.02mm
	Lunghezza	10.66mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 80A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V
	Serie HEXFET
	Tipo di package TO-220
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 56nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 140W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 4.82 mm
	Altezza 9.02mm
	Lunghezza 10.66mm
	Standard automobilistico No

MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon

MOSFET per controllo di motori

Infineon offre una gamma completa di dispositivi MOSFET robusti a canale N e a canale P per le applicazioni di controllo motori.

MOSFET raddrizzatore sincrono

La gamma di dispositivi MOSFET a raddrizzamento sincrono per alimentatori c.a.-c.c. supporta le richieste dei clienti in merito a sistemi con una maggiore densità di potenza, dimensioni ridotte, maggiore portabilità e flessibilità.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.