MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 9 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante IRFU3607PBF

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Codice RS:
165-7585
Codice costruttore:
IRFU3607PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

IPAK

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

6.22mm

Larghezza

2.39mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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