MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 3 mΩ Miglioramento, 160 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante

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Codice RS:
124-8964
Codice costruttore:
IRLU8743PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

160A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

IPAK

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Dissipazione di potenza massima Pd

135W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 160 A, dissipazione di potenza massima di 135 W - IRLU8743PBF


Questo MOSFET è un dispositivo di tipo enhancement mode progettato per applicazioni di commutazione efficienti. Utilizza una tecnologia avanzata per ottenere buone prestazioni nelle operazioni ad alta frequenza, rendendolo adatto alla gestione dell'alimentazione in vari scenari industriali. Con specifiche impressionanti, gestisce efficacemente carichi di corrente significativi mantenendo una bassa resistenza, garantendo prestazioni in varie condizioni.

Caratteristiche e vantaggi


• La bassa resistenza di accensione riduce la perdita di potenza durante il funzionamento

• L'elevata corrente di drenaggio continua di 160A supporta carichi consistenti

• L'intervallo di tensione fino a 30 V facilita diverse applicazioni

• Progettato con un pacchetto IPAK TO-251 per una facile installazione

• Le capacità valanghive completamente caratterizzate aumentano l'affidabilità operativa

Applicazioni


• Convertitori buck sincroni ad alta frequenza

• Convertitori DC-DC isolati in ambienti industriali

• Sistemi di gestione dell'alimentazione dei processori per computer

• Alimentazione ad alta corrente

Come si comporta in ambienti ad alta temperatura?


Il dispositivo opera in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C, garantendo prestazioni costanti anche in condizioni estreme.

Qual è il significato di un basso RDS(on) per il mio progetto?


Un basso valore di RDS(on) riduce al minimo le perdite per conduzione, favorendo un uso efficiente dell'energia e una gestione termica efficace, essenziale per le applicazioni ad alta corrente.

Può essere utilizzato nelle applicazioni a impulsi?


Sì, il suo design supporta la gestione della corrente pulsata, rendendolo adatto a varie applicazioni che richiedono una risposta transitoria.

Quali fattori devo considerare durante l'installazione?


È importante garantire una corretta gestione termica e verificare la compatibilità con le specifiche di tensione e corrente del circuito per ottimizzare le prestazioni.

Sono necessari componenti aggiuntivi per il controllo del cancello?


L'integrazione di circuiti di pilotaggio del gate può essere vantaggiosa per migliorare le prestazioni di commutazione, soprattutto nelle applicazioni ad alta frequenza.

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