MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 9 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante

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Codice RS:
688-7134
Codice costruttore:
IRFU3607PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

HEXFET

Tipo di package

IPAK

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

2.39 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-43-455

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

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