MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 9 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante
- Codice RS:
- 688-7134
- Codice Distrelec:
- 304-43-455
- Codice costruttore:
- IRFU3607PBF
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 688-7134
- Codice Distrelec:
- 304-43-455
- Codice costruttore:
- IRFU3607PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Tipo di package | IPAK | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 56nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 140W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Altezza | 6.22mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Tipo di package IPAK | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 56nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 140W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Altezza 6.22mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
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La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
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