MOSFET Infineon, canale N, 75 mΩ, 17 A, IPAK (TO-251), Su foro

Codice RS:: 541-1607
Codice costruttore:: IRFU024NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 75 mΩ, 17 A, IPAK (TO-251), Su foro

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Codice RS:: 541-1607
Codice costruttore:: IRFU024NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 17 A, dissipazione di potenza massima di 45 W - IRFU024NPBF

Questo MOSFET a canale N ad alte prestazioni è adatto a diverse applicazioni elettriche. Con specifiche che includono una corrente di drenaggio continua massima di 17A e una tensione massima di drenaggio-sorgente di 55V, questo componente è importante per i professionisti dei settori dell'automazione e dell'elettronica. La capacità di operare in ambienti ad alta temperatura contribuisce alla sua affidabilità per i progetti più impegnativi.

Caratteristiche e vantaggi

• Dissipazione di potenza massima fino a 45W per un funzionamento robusto
• La bassa resistenza drain-source di 75mΩ aumenta l'efficienza energetica
• Soglia massima del gate di 4V per migliorare le prestazioni
• La configurazione a singolo transistor semplifica l'integrazione dei progetti
• Progettato per il montaggio a foro passante in un contenitore TO-251 per una facile installazione

Applicazioni

• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'energia per una maggiore efficienza
• Ideale per la commutazione ad alta frequenza
• Adatto per l'elettronica automobilistica, garantisce prestazioni costanti
• Impiegato nell'automazione industriale per i sistemi di controllo
• Appropriato per le telecomunicazioni per mantenere l'integrità del segnale

Qual è la massima corrente di drenaggio continua supportata?

La corrente di drenaggio continua massima supportata è di 17A e lo rende adatto a varie applicazioni che richiedono una gestione significativa della potenza.

Come influisce la temperatura sulle prestazioni?

Il componente funziona efficacemente in un ampio intervallo di temperature, da -55°C a +175°C, garantendo la stabilità in condizioni estreme.

È in grado di gestire tensioni gate-source variabili?

Sì, può ospitare tensioni gate-source da -20 V a +20 V, garantendo flessibilità nella progettazione dei circuiti.

Quali sono le implicazioni di una bassa resistenza drain-source?

La bassa resistenza di drain-source, pari a 75mΩ, riduce la generazione di calore e migliora l'efficienza, aspetto cruciale per le applicazioni ad alte prestazioni.

È adatto alle applicazioni in modalità enhancement?

Sì, questo transistor è stato progettato come dispositivo a modalità di potenziamento, consentendo la versatilità in diverse configurazioni di circuito.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	17 A
Tensione massima drain source	55 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	IPAK (TO-251)
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	75 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	45 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	20 nC a 10 V
Larghezza	2.39mm
Lunghezza	6.73mm
Altezza	6.22mm
Tensione diretta del diodo	1.3V
Minima temperatura operativa	-55 °C