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    MOSFET Infineon, canale P, 65 mΩ, 31 A, IPAK (TO-251), Su foro

    Prezzo per Unità

    0,95 €

    (IVA esclusa)

    1,16 €

    (IVA inclusa)

    Unità
    Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
    Unità
    Per unità
    1 +0,95 €
    Opzioni di confezione:
    Codice RS:
    542-9951
    Codice costruttore:
    IRFU5305PBF
    Costruttore:
    Infineon

    Attributo
    Valore
    Tipo di canaleP
    Corrente massima continuativa di drain31 A
    Tensione massima drain source55 V
    SerieHEXFET
    Tipo di packageIPAK (TO-251)
    Tipo di montaggioSu foro
    Numero pin3
    Resistenza massima drain source65 mΩ
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate massima4V
    Tensione di soglia gate minima2V
    Dissipazione di potenza massima110 W
    Configurazione transistorSingolo
    Tensione massima gate source-20 V, +20 V
    Larghezza2.3mm
    Massima temperatura operativa+175 °C
    Numero di elementi per chip1
    Carica gate tipica @ Vgs63 nC a 10 V
    Materiale del transistorSi
    Lunghezza6.6mm
    Altezza6.1mm
    Minima temperatura operativa-55 °C

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