MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 175 mΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante IRFU9024NPBF

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

0,72 €

(IVA esclusa)

0,88 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 28 unità pronte per la spedizione
  • Più 268 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 2895 unità in spedizione dal 07 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 240,72 €
25 - 490,68 €
50 - 990,66 €
100 - 2490,62 €
250 +0,60 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
541-1657
Codice costruttore:
IRFU9024NPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

IPAK

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

175mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

38W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

6.22mm

Larghezza

2.39 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 11 A, dissipazione di potenza massima di 38 W - IRFU9024NPBF


Questo MOSFET a canale P è destinato ad applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha una corrente di drenaggio continua massima di 11A e una tensione massima di drenaggio-sorgente di 55V, in grado di gestire carichi significativi e di garantire l'affidabilità in varie condizioni operative. Il tipo di montaggio a foro passante consente una perfetta integrazione nei progetti esistenti, rendendolo un componente chiave per i professionisti dell'automazione e dell'elettronica.

Caratteristiche e vantaggi


• La bassa Rds(on) di 175mΩ migliora l'efficienza energetica

• La dissipazione di potenza massima di 38 W supporta prestazioni robuste

• La configurazione a singolo transistor semplifica i processi di progettazione

• Conforme agli standard di assenza di piombo per le applicazioni più rispettose dell'ambiente

Applicazioni


• Adatto per alimentatori e circuiti di conversione

• Utilizzato nei sistemi di controllo dei motori per un funzionamento efficace

• Integrato nei sistemi di gestione delle batterie per migliorare le prestazioni

• Applicabile in ambienti automobilistici per una gestione affidabile della potenza

• Ideale per le apparecchiature di automazione industriale che richiedono prestazioni robuste

Qual è l'intervallo di temperatura per un funzionamento stabile?


Il componente funziona efficacemente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, garantendo prestazioni affidabili in vari ambienti.

Come può gestire in modo efficiente carichi di potenza elevati?


Con una dissipazione di potenza massima di 38W e una bassa Rds(on) di 175mΩ, gestisce carichi di potenza elevati con una perdita di energia minima.

È compatibile con un layout di PCB standard?


Sì, il tipo di montaggio a foro passante è compatibile con i layout dei circuiti stampati standard e facilita l'integrazione.

Quali sono i criteri da considerare per la tensione del gate?


Un intervallo di tensione gate-source compreso tra -20V e +20V offre una certa flessibilità; le prestazioni ottimali si ottengono a 10 V per un funzionamento efficace.

Come contribuisce all'efficienza della gestione dell'energia?


La bassa resistenza di accensione e l'elevata capacità di corrente massimizzano l'efficienza in vari scenari di gestione dell'alimentazione.

Link consigliati