MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 175 mΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante IRFU9024NPBF
- Codice RS:
- 541-1657
- Codice costruttore:
- IRFU9024NPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
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- IRFU9024NPBF
- Costruttore:
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Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | IPAK | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 175mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | -1.6V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 19nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 38W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Altezza | 6.22mm | |
| Larghezza | 2.39 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package IPAK | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 175mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf -1.6V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 38W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Altezza 6.22mm | ||
Larghezza 2.39 mm | ||
Standard automobilistico No | ||

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 11 A, dissipazione di potenza massima di 38 W - IRFU9024NPBF
Questo MOSFET a canale P è destinato ad applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha una corrente di drenaggio continua massima di 11A e una tensione massima di drenaggio-sorgente di 55V, in grado di gestire carichi significativi e di garantire l'affidabilità in varie condizioni operative. Il tipo di montaggio a foro passante consente una perfetta integrazione nei progetti esistenti, rendendolo un componente chiave per i professionisti dell'automazione e dell'elettronica.
Caratteristiche e vantaggi
• La bassa Rds(on) di 175mΩ migliora l'efficienza energetica
• La dissipazione di potenza massima di 38 W supporta prestazioni robuste
• La configurazione a singolo transistor semplifica i processi di progettazione
• Conforme agli standard di assenza di piombo per le applicazioni più rispettose dell'ambiente
Applicazioni
• Adatto per alimentatori e circuiti di conversione
• Utilizzato nei sistemi di controllo dei motori per un funzionamento efficace
• Integrato nei sistemi di gestione delle batterie per migliorare le prestazioni
• Applicabile in ambienti automobilistici per una gestione affidabile della potenza
• Ideale per le apparecchiature di automazione industriale che richiedono prestazioni robuste
Qual è l'intervallo di temperatura per un funzionamento stabile?
Il componente funziona efficacemente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, garantendo prestazioni affidabili in vari ambienti.
Come può gestire in modo efficiente carichi di potenza elevati?
Con una dissipazione di potenza massima di 38W e una bassa Rds(on) di 175mΩ, gestisce carichi di potenza elevati con una perdita di energia minima.
È compatibile con un layout di PCB standard?
Sì, il tipo di montaggio a foro passante è compatibile con i layout dei circuiti stampati standard e facilita l'integrazione.
Quali sono i criteri da considerare per la tensione del gate?
Un intervallo di tensione gate-source compreso tra -20V e +20V offre una certa flessibilità; le prestazioni ottimali si ottengono a 10 V per un funzionamento efficace.
Come contribuisce all'efficienza della gestione dell'energia?
La bassa resistenza di accensione e l'elevata capacità di corrente massimizzano l'efficienza in vari scenari di gestione dell'alimentazione.
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