MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 175 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
919-4858
Codice costruttore:
IRF9Z24NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

175mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

8.77mm

Larghezza

4.69 mm

Lunghezza

10.54mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 12 A, dissipazione di potenza massima di 45 W - IRF9Z24NPBF


Questo MOSFET ad alte prestazioni è progettato per una gestione efficiente della potenza in diverse applicazioni. Con una configurazione a canale P, si presta bene alla commutazione controllata e a un flusso di corrente potenziato. Il prodotto svolge un ruolo cruciale nel pilotaggio di carichi ad alta potenza, garantendo prestazioni costanti e stabilità termica in condizioni difficili.

Caratteristiche e vantaggi


• Corrente di drenaggio continua massima di 12A

• Tensione massima drain-source di 55 V

• Basso RDS(on) di 175mΩ per ridurre la perdita di potenza

• Funziona con tensione gate-source sia negativa che positiva

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'energia per l'automazione

• Impiegato negli alimentatori a commutazione per l'elettronica

• Vantaggioso negli amplificatori audio per migliorare le prestazioni

• Comune in vari dispositivi elettronici di consumo per un uso efficiente dell'energia

Qual è la carica tipica del gate per ottenere prestazioni ottimali?


La carica tipica del gate è di 19nC con una tensione gate-source di 10V, che garantisce caratteristiche di commutazione efficaci.

In che modo il tipo di canale influisce sulla funzionalità?


Come MOSFET a canale P, consente una migliore integrazione nelle applicazioni di commutazione high-side, ampliando i potenziali scenari di utilizzo nei circuiti di potenza.

Qual è il significato dell'intervallo di temperatura?


L'intervallo di temperatura operativa da -55°C a +175°C garantisce l'affidabilità in vari ambienti, rendendolo versatile per diverse applicazioni industriali.

Può essere utilizzato in applicazioni di commutazione ad alta frequenza?


Sì, la combinazione di bassa carica e resistenza del gate lo rende adatto ad applicazioni ad alta frequenza, migliorando l'efficienza delle prestazioni.

Quali sono le considerazioni da fare per l'installazione?


Garantire una corretta gestione termica e un montaggio adeguato per facilitare un'efficace dissipazione del calore, che può migliorare la longevità e l'affidabilità del funzionamento.

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