MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 20 mΩ Miglioramento, 74 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 919-4772
- Codice costruttore:
- IRF4905PBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
73,55 €
(IVA esclusa)
89,75 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 50 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 22.550 unità in spedizione dal 22 ottobre 2026
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,471 € | 73,55 € |
| 100 - 200 | 1,398 € | 69,90 € |
| 250 - 450 | 1,339 € | 66,95 € |
| 500 - 950 | 1,25 € | 62,50 € |
| 1000 + | 1,177 € | 58,85 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 919-4772
- Codice costruttore:
- IRF4905PBF
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 74A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 20mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 200W | |
| Tensione diretta Vf | -1.6V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 180nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.69mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Lunghezza | 10.54mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 74A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 200W | ||
Tensione diretta Vf -1.6V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 180nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.69mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 8.77mm | ||
Lunghezza 10.54mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 74 A, dissipazione di potenza massima di 200 W - IRF4905PBF
Caratteristiche e vantaggi
Applicazioni
In che modo la bassa resistenza di accensione può favorire la progettazione dei circuiti?
Qual è il significato dell'utilizzo di un pacchetto TO-220AB?
Questo componente è in grado di gestire ambienti ad alta temperatura?
Che tipo di applicazioni richiedono l'elevata corrente di drain continua di questo MOSFET?
In che modo la tensione di soglia del gate influisce sulle prestazioni?
Link consigliati
- MOSFET Infineon 20 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRF4905PBF
- MOSFET Infineon 20 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 20 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRF4905LPBF
- MOSFET Infineon 60 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 175 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 100 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 100 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRF9Z34NPBF
- MOSFET Infineon 175 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRF9Z24NPBF
