MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 20 mΩ Miglioramento, 74 A, 3 Pin, A-262, Foro passante IRF4905LPBF
- Codice RS:
- 650-3662
- Codice Distrelec:
- 304-29-285
- Codice costruttore:
- IRF4905LPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 650-3662
- Codice Distrelec:
- 304-29-285
- Codice costruttore:
- IRF4905LPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 74A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | A-262 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 20mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 180nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.8W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.83mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 10.54mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 74A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package A-262 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 180nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.8W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.83mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 10.54mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima -70A, dissipazione di potenza massima 3,8W - IRF4905LPBF
Questo MOSFET Infineon presenta una configurazione a canale P ed è in grado di gestire una corrente di drain continua di -70A con una tensione massima drain-source di 55V. È progettato per applicazioni ad alte prestazioni, in particolare nei circuiti elettronici che richiedono un'efficace gestione della potenza e un'elevata efficienza. È adatto agli utenti dei settori dell'automazione e dell'elettronica e offre un funzionamento affidabile in vari ambienti.
Caratteristiche e vantaggi
• Prestazioni migliorate alle alte temperature, fino a +175°C
• Basso RDS(on) per ridurre le perdite di potenza durante il funzionamento
• Capacità di commutazione rapida per migliorare l'efficienza
• Tollera condizioni di valanga ripetute senza guasti
• Caratteristiche efficaci della carica di gate per una migliore reattività del circuito
Applicazioni
• Utilizzato nei circuiti di gestione dell'alimentazione per dispositivi ad alta efficienza energetica
• Ideale per il controllo di motori DC brushless
• Applicabile all'elettronica automobilistica per una maggiore affidabilità
• Adatto ai sistemi di automazione industriale che richiedono componenti robusti
Che tipo di tensione può essere gestita durante il funzionamento?
Può gestire una tensione massima drain-source di 55 V, che lo rende adatto ad applicazioni a tensione moderata o elevata.
Questo dispositivo può funzionare a temperature elevate?
Sì, ha un intervallo di temperatura operativa compreso tra -55°C e +175°C, che gli consente di funzionare in condizioni estreme.
In che modo la bassa RDS(on) è vantaggiosa per la progettazione dei circuiti?
La bassa RDS(on) riduce le perdite per conduzione, con conseguente aumento dell'efficienza e minore generazione di calore nelle applicazioni di potenza.
Questo componente è compatibile con i tipici progetti di PCB?
Sì, è progettato per il montaggio a foro passante, consentendo una perfetta integrazione nei layout dei PCB standard utilizzati in vari progetti elettronici.
Quali sono i valori della tensione di soglia di gate per questo MOSFET?
La tensione massima di soglia del gate è di 4 V e la minima di 2 V, per garantire la corretta commutazione del circuito alle basse tensioni.
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