MOSFET Infineon, canale P, 20 mΩ, 70 A, I2PAK (TO-262), Su foro

Codice RS:: 650-3662
Codice costruttore:: IRF4905LPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 20 mΩ, 70 A, I2PAK (TO-262), Su foro

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Codice RS:: 650-3662
Codice costruttore:: IRF4905LPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima -70A, dissipazione di potenza massima 3,8W - IRF4905LPBF

Questo MOSFET Infineon presenta una configurazione a canale P ed è in grado di gestire una corrente di drain continua di -70A con una tensione massima drain-source di 55V. È progettato per applicazioni ad alte prestazioni, in particolare nei circuiti elettronici che richiedono un'efficace gestione della potenza e un'elevata efficienza. È adatto agli utenti dei settori dell'automazione e dell'elettronica e offre un funzionamento affidabile in vari ambienti.

Caratteristiche e vantaggi

• Prestazioni migliorate alle alte temperature, fino a +175°C
• Basso RDS(on) per ridurre le perdite di potenza durante il funzionamento
• Capacità di commutazione rapida per migliorare l'efficienza
• Tollera condizioni di valanga ripetute senza guasti
• Caratteristiche efficaci della carica di gate per una migliore reattività del circuito

Applicazioni

• Utilizzato nei circuiti di gestione dell'alimentazione per dispositivi ad alta efficienza energetica
• Ideale per il controllo di motori DC brushless
• Applicabile all'elettronica automobilistica per una maggiore affidabilità
• Adatto ai sistemi di automazione industriale che richiedono componenti robusti

Che tipo di tensione può essere gestita durante il funzionamento?

Può gestire una tensione massima drain-source di 55 V, che lo rende adatto ad applicazioni a tensione moderata o elevata.

Questo dispositivo può funzionare a temperature elevate?

Sì, ha un intervallo di temperatura operativa compreso tra -55°C e +175°C, che gli consente di funzionare in condizioni estreme.

In che modo la bassa RDS(on) è vantaggiosa per la progettazione dei circuiti?

La bassa RDS(on) riduce le perdite per conduzione, con conseguente aumento dell'efficienza e minore generazione di calore nelle applicazioni di potenza.

Questo componente è compatibile con i tipici progetti di PCB?

Sì, è progettato per il montaggio a foro passante, consentendo una perfetta integrazione nei layout dei PCB standard utilizzati in vari progetti elettronici.

Quali sono i valori della tensione di soglia di gate per questo MOSFET?

La tensione massima di soglia del gate è di 4 V e la minima di 2 V, per garantire la corretta commutazione del circuito alle basse tensioni.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	70 A
Tensione massima drain source	55 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	I2PAK (TO-262)
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	20 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	3,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	180 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.67mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.83mm
Altezza	10.54mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.3V