MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 49 A, A-262, Superficie
- Codice RS:
- 258-3987
- Codice costruttore:
- IRFZ44NSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,577 € | 461,60 € |
| 1600 - 1600 | 0,548 € | 438,40 € |
| 2400 + | 0,525 € | 420,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-3987
- Codice costruttore:
- IRFZ44NSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 49A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | A-262 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 49A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package A-262 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET di International Rectifier offre tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza estremamente bassa per area di silicio. Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione rapida e il robusto dispositivo progettato per i MOSFET di potenza HEXFET, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.
Struttura della cella planare per un'ampia SOA
Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC