MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 18.6 mΩ, 72 A, A-262, Superficie
- Codice RS:
- 257-5554
- Codice costruttore:
- IRFS4127TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 800 unità*
1344,80 €
(IVA esclusa)
1640,80 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,681 € | 1.344,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-5554
- Codice costruttore:
- IRFS4127TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 72A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | A-262 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 18.6mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 100nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 72A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package A-262 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 18.6mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 100nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon presenta una migliore robustezza del gate, della valanga e del dV/dt dinamico e una capacità e una SOA di valanga completamente caratterizzate.
Capacità di diodo corpo dV/dt e dI/dt potenziata
Senza piombo
Rettifica sincrona ad alta efficienza in SMPS
Alimentatore ininterrotto
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