MOSFET Infineon, canale N, 190 mΩ, 20 A, I2PAK (TO-262), Su foro

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Codice RS:
857-6713
Codice costruttore:
IPI65R190C6XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

20 A

Tensione massima drain source

700 V

Tipo di package

I2PAK (TO-262)

Serie

CoolMOS C6

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

190 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3.5V

Tensione di soglia gate minima

2.5V

Dissipazione di potenza massima

151 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Materiale del transistor

Si

Larghezza

4.57mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

10.36mm

Carica gate tipica @ Vgs

73 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

1

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

9.45mm

MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™C6/C7



Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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