Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 60 mΩ Miglioramento, 38 A, 3 Pin, I2PAK (TO-262), Foro passante

Codice RS:: 650-3707
Codice costruttore:: IRF5210LPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 60 mΩ Miglioramento, 38 A, 3 Pin, I2PAK (TO-262), Foro passante

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Codice RS:: 650-3707
Codice costruttore:: IRF5210LPBF
Costruttore:: Infineon

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Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	38A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Tipo di package	I2PAK (TO-262)
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	60mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.6V
	Dissipazione di potenza massima Pd	170W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	150nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	Lead-Free
	Lunghezza	10.54mm
	Altezza	10.54mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 38A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie HEXFET
	Tipo di package I2PAK (TO-262)
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 60mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.6V
	Dissipazione di potenza massima Pd 170W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 150nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni Lead-Free
	Lunghezza 10.54mm
	Altezza 10.54mm
	Standard automobilistico No

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