MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 60 mΩ Miglioramento, 38 A, 3 Pin, I2PAK (TO-262), Foro passante
- Codice RS:
- 650-3707
- Codice costruttore:
- IRF5210LPBF
- Costruttore:
- Infineon
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
- Codice RS:
- 650-3707
- Codice costruttore:
- IRF5210LPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 38A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | I2PAK (TO-262) | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 60mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 170W | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 150nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | Lead-Free | |
| Altezza | 10.54mm | |
| Larghezza | 4.69mm | |
| Lunghezza | 10.54mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 38A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package I2PAK (TO-262) | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 60mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 170W | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 150nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni Lead-Free | ||
Altezza 10.54mm | ||
Larghezza 4.69mm | ||
Lunghezza 10.54mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale P da 100 V a 150 V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 60 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRF5210LPBF
- MOSFET Infineon 2 90 A Su foro
- MOSFET Infineon 3 80 A Su foro
- MOSFET Infineon 190 mΩ I2PAK (TO-262), Su foro
- 1 MOSFET Infineon Singolo 4 mΩ I2PAK (TO-262) 3 Pin IRF1404LPBF
- MOSFET Infineon 20 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 20 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRF4905LPBF
- MOSFET Infineon 9.2 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
