MOSFET Infineon, canale P, 60 mΩ, 38 A, I2PAK (TO-262), Su foro

Codice RS:: 650-3707
Codice costruttore:: IRF5210LPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 60 mΩ, 38 A, I2PAK (TO-262), Su foro

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Unità	Per unità	Per confezione**
5 - 20	2,47 €	12,35 €
25 - 45	2,224 €	11,12 €
50 - 120	2,076 €	10,38 €
125 - 245	1,928 €	9,64 €
250 +	1,802 €	9,01 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 650-3707
Codice costruttore:: IRF5210LPBF
Costruttore:: Infineon

IRF5210LPBF, IRF5210SPBF P-Channel MOSFET 100V 0.4A Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	38 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	I2PAK (TO-262)
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	60 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	3,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	10.54mm
Larghezza	4.69mm
Carica gate tipica @ Vgs	150 nC @ 10 V
Altezza	10.54mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale P, 60 mΩ, 38 A, I2PAK (TO-262), Su foro

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MOSFET di potenza a canale P da 100 V a 150 V, Infineon

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