MOSFET STMicroelectronics, canale N, 99 mΩ, 32 A, I2PAK (TO-262), Su foro

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

32 A

Tensione massima drain source

650 V

Serie

MDmesh M2

Tipo di package

I2PAK (TO-262)

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

99 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

250 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-25 V, +25 V

Carica gate tipica @ Vgs

56,5 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Larghezza

4.6mm

Lunghezza

10.4mm

Numero di elementi per chip

1

Altezza

9.35mm

Tensione diretta del diodo

1.6V