MOSFET STMicroelectronics, canale N, 99 mΩ, 32 A, I2PAK (TO-262), Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
876-5676
Codice costruttore:
STI40N65M2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

32 A

Tensione massima drain source

650 V

Tipo di package

I2PAK (TO-262)

Serie

MDmesh M2

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

99 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

250 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-25 V, +25 V

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Larghezza

4.6mm

Carica gate tipica @ Vgs

56,5 nC a 10 V

Lunghezza

10.4mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Altezza

9.35mm

Tensione diretta del diodo

1.6V

Paese di origine:
CN

MDmesh™ a canale N serie M2, STMicroelectronics


Una gamma di MOSFET di potenza ad alta tensione di STMicroelecronics. Grazie alla carica di gate bassa e all'eccellente capacità di uscita, la serie MDmesh M2 è perfetta per l'uso in alimentatori switching risonanti (convertitori LLC).


Transistor MOSFET, STMicroelectronics

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