Name: 1 MOSFET Infineon Singolo, canale Tipo N, 4 mΩ, 162 A 40 V, I2PAK (TO-262), Foro passante Miglioramento, 3 Pin
Brand: Infineon
SKU: 543-0822
Price: 3.10 EUR
Availability: Discontinued

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	162A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	I2PAK (TO-262)
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	4mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20, -20V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Configurazione transistor	Singolo
	Lunghezza	10.67mm
	Altezza	9.65mm
	Larghezza	4.83mm
	Numero elementi per chip	1

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 162A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package I2PAK (TO-262)
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20, -20V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Configurazione transistor Singolo
	Lunghezza 10.67mm
	Altezza 9.65mm
	Larghezza 4.83mm
	Numero elementi per chip 1

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 162A, dissipazione di potenza massima di 3,8W - IRF1404LPBF

Questo MOSFET rappresenta una soluzione efficiente in diverse applicazioni elettroniche, in particolare quando sono necessarie prestazioni elevate. Le sue tecniche di elaborazione avanzate lo rendono adatto per l'automazione e i sistemi di controllo elettronici, contribuendo ai moderni dispositivi di gestione dell'alimentazione.

Caratteristiche e vantaggi

• Fornisce una corrente di drenaggio continua di 162A per prestazioni robuste

• Resiste a una tensione massima di drain-source di 40V per un funzionamento sicuro

• Presenta una bassa resistenza all'accensione (RDS(on)) di 4 mΩ, migliorando l'efficienza energetica

• Utilizza la tecnologia enhancement mode per migliorare le prestazioni di commutazione

• Supporta il montaggio a foro passante, facilitando l'integrazione in progetti già esistenti

Applicazioni

• Utilizzato nei circuiti ad alta corrente per la regolazione della potenza

• Adatto per progetti di alimentazione nell'automazione industriale

• Applicato agli azionamenti e ai sistemi di controllo dei motori elettrici

• Ideale per i convertitori DC-DC nei sistemi di energia rinnovabile

Qual è la capacità massima di dissipazione di potenza?

Può gestire una dissipazione di potenza fino a 3,8 W in condizioni specifiche, garantendo prestazioni ottimali senza surriscaldamento durante il funzionamento.

È compatibile con i progetti a montaggio superficiale?

Pur essendo principalmente nel pacchetto I2PAK per applicazioni a foro passante, può essere integrato in altri progetti industriali che richiedono componenti robusti.

Come deve essere montato per ottenere prestazioni ottimali?

Seguire le corrette tecniche di montaggio a foro passante per garantire una saldatura sicura, evitando guasti termici e meccanici durante il funzionamento.

Quali sono le implicazioni del superamento dei limiti specificati?

Il superamento dei limiti di corrente o tensione di drenaggio continuo può causare un sovraccarico termico o danni permanenti al dispositivo, compromettendo l'affidabilità complessiva del sistema.

Questo componente può essere riutilizzato dopo l'installazione?

La reinstallazione è possibile se si utilizzano tecniche di rimozione accurate, anche se i cicli termici ripetuti possono influire sull'affidabilità a lungo termine.

1 MOSFET Infineon Singolo, canale Tipo N, 4 mΩ, 162 A 40 V, I2PAK (TO-262), Foro passante Miglioramento, 3 Pin