MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 162 A, I2PAK (TO-262), Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
543-0822
Codice costruttore:
IRF1404LPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

162 A

Tensione massima drain source

40 V

Tipo di package

I2PAK (TO-262)

Serie

HEXFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

4 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

3,8 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

4.83mm

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

160 nC @ 10 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

10.67mm

Numero di elementi per chip

1

Tensione diretta del diodo

1.3V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

9.65mm

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 162A, dissipazione di potenza massima di 3,8W - IRF1404LPBF


Questo MOSFET rappresenta una soluzione efficiente in diverse applicazioni elettroniche, in particolare quando sono necessarie prestazioni elevate. Le sue tecniche di elaborazione avanzate lo rendono adatto ai sistemi di automazione e controllo elettronico, contribuendo ai moderni dispositivi di gestione dell'energia.

Caratteristiche e vantaggi


• Fornisce una corrente di drenaggio continua di 162A per prestazioni robuste
• Resiste a una tensione massima di drain-source di 40V per un funzionamento sicuro
• Presenta una bassa resistenza all'accensione (RDS(on)) di 4 mΩ, migliorando l'efficienza energetica
• Utilizza la tecnologia enhancement mode per migliorare le prestazioni di commutazione
• Supporta il montaggio a foro passante, facilitando l'integrazione in progetti già esistenti

Applicazioni


• Utilizzato nei circuiti ad alta corrente per la regolazione della potenza
• Adatto per progetti di alimentazione nell'automazione industriale
• Applicato agli azionamenti e ai sistemi di controllo dei motori elettrici
• Ideale per i convertitori DC-DC nei sistemi di energia rinnovabile

Qual è la capacità massima di dissipazione di potenza?


Può gestire una dissipazione di potenza fino a 3,8 W in condizioni specifiche, garantendo prestazioni ottimali senza surriscaldamento durante il funzionamento.

È compatibile con i progetti a montaggio superficiale?


Pur essendo principalmente nel pacchetto I2PAK per applicazioni a foro passante, può essere integrato in altri progetti industriali che richiedono componenti robusti.

Come deve essere montato per ottenere prestazioni ottimali?


Seguire le corrette tecniche di montaggio a foro passante per garantire una saldatura sicura, evitando guasti termici e meccanici durante il funzionamento.

Quali sono le implicazioni del superamento dei limiti specificati?


Il superamento dei limiti di corrente o tensione di drenaggio continuo può causare un sovraccarico termico o danni permanenti al dispositivo, compromettendo l'affidabilità complessiva del sistema.

Questo componente può essere riutilizzato dopo l'installazione?


La reinstallazione è possibile se si utilizzano tecniche di rimozione accurate, anche se i cicli termici ripetuti possono influire sull'affidabilità a lungo termine.


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.