MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 60 mΩ Miglioramento, 38 A, 3 Pin, I2PAK (TO-262), Foro passante IRF5210LPBF

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Codice RS:
165-7567
Codice costruttore:
IRF5210LPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

38A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

I2PAK (TO-262)

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Tensione diretta Vf

1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

10.54mm

Lunghezza

10.54mm

Standard/Approvazioni

Lead-Free

Standard automobilistico

No

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