MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 20 mΩ Miglioramento, 74 A, 3 Pin, A-262, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

106,25 €

(IVA esclusa)

129,60 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 300 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Tubo*
50 - 502,125 €106,25 €
100 - 2001,657 €82,85 €
250 - 4501,551 €77,55 €
500 - 9501,445 €72,25 €
1000 +1,338 €66,90 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
913-3913
Codice costruttore:
IRF4905LPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

74A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

A-262

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

180nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3.8W

Tensione diretta Vf

-1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.83mm

Altezza

10.54mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima -70A, dissipazione di potenza massima 3,8W - IRF4905LPBF


Questo MOSFET Infineon presenta una configurazione a canale P ed è in grado di gestire una corrente di drain continua di -70A con una tensione massima drain-source di 55V. È progettato per applicazioni ad alte prestazioni, in particolare nei circuiti elettronici che richiedono un'efficace gestione della potenza e un'elevata efficienza. È adatto agli utenti dei settori dell'automazione e dell'elettronica e offre un funzionamento affidabile in vari ambienti.

Caratteristiche e vantaggi


• Prestazioni migliorate alle alte temperature, fino a +175°C

• Basso RDS(on) per ridurre le perdite di potenza durante il funzionamento

• Capacità di commutazione rapida per migliorare l'efficienza

• Tollera condizioni di valanga ripetute senza guasti

• Caratteristiche efficaci della carica di gate per una migliore reattività del circuito

Applicazioni


• Utilizzato nei circuiti di gestione dell'alimentazione per dispositivi ad alta efficienza energetica

• Ideale per il controllo di motori DC brushless

• Applicabile all'elettronica automobilistica per una maggiore affidabilità

• Adatto ai sistemi di automazione industriale che richiedono componenti robusti

Che tipo di tensione può essere gestita durante il funzionamento?


Può gestire una tensione massima drain-source di 55 V, che lo rende adatto ad applicazioni a tensione moderata o elevata.

Questo dispositivo può funzionare a temperature elevate?


Sì, ha un intervallo di temperatura operativa compreso tra -55°C e +175°C, che gli consente di funzionare in condizioni estreme.

In che modo la bassa RDS(on) è vantaggiosa per la progettazione dei circuiti?


La bassa RDS(on) riduce le perdite per conduzione, con conseguente aumento dell'efficienza e minore generazione di calore nelle applicazioni di potenza.

Questo componente è compatibile con i tipici progetti di PCB?


Sì, è progettato per il montaggio a foro passante, consentendo una perfetta integrazione nei layout dei PCB standard utilizzati in vari progetti elettronici.

Quali sono i valori della tensione di soglia di gate per questo MOSFET?


La tensione massima di soglia del gate è di 4 V e la minima di 2 V, per garantire la corretta commutazione del circuito alle basse tensioni.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.