MOSFET Infineon, canale P, 20 mΩ, 74 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 540-9799
Codice costruttore:: IRF4905PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 20 mΩ, 74 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 540-9799
Codice costruttore:: IRF4905PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 74 A, dissipazione di potenza massima di 200 W - IRF4905PBF

Questo MOSFET rappresenta una soluzione versatile per la gestione dell'alimentazione in diverse applicazioni industriali. È stato progettato per garantire un'elevata efficienza e affidabilità, rendendolo essenziale per i professionisti dei settori elettronico ed elettrotecnico. Grazie alle sue robuste caratteristiche prestazionali, questo prodotto migliora la progettazione dei circuiti e garantisce un funzionamento ottimale in ambienti difficili.

Caratteristiche e vantaggi

• L'elevata capacità di corrente di drenaggio continua di 74A supporta le applicazioni più esigenti
• La tensione massima drain-source di 55 V consente un'efficace gestione dell'alimentazione
• La bassa resistenza di accensione di 20mΩ migliora l'efficienza energetica
• Progettato come MOSFET in modalità enhancement per un controllo preciso
• Utilizza un pacchetto TO-220AB per facilitare il montaggio e l'integrazione

Applicazioni

• Utilizzato nei convertitori DC-DC per un'efficiente conversione di potenza
• Ideale per il controllo dei motori che richiedono una sostanziale gestione corrente
• Impiegato negli alimentatori per un funzionamento ottimizzato
• Adatto per la gestione termica in ambienti ad alto carico
• Utilizzato nei sistemi di automazione per una commutazione affidabile

In che modo la bassa resistenza di accensione può favorire la progettazione dei circuiti?

La ridotta resistenza di accensione riduce al minimo le perdite di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza energetica e le prestazioni complessive, fondamentali nelle applicazioni ad alta corrente.

Qual è il significato dell'utilizzo di un pacchetto TO-220AB?

Il pacchetto TO-220AB consente un'efficiente dissipazione del calore e facilita l'installazione, rendendolo una scelta preferenziale nelle applicazioni industriali.

Questo componente è in grado di gestire ambienti ad alta temperatura?

Sì, funziona efficacemente a temperature fino a +175°C, adatto ad applicazioni rigorose.

Che tipo di applicazioni richiedono l'elevata corrente di drain continua di questo MOSFET?

L'elevata corrente di drenaggio continua è adatta ad applicazioni quali azionamenti di motori, convertitori di potenza e altri sistemi che richiedono una gestione robusta della potenza.

In che modo la tensione di soglia del gate influisce sulle prestazioni?

Una tensione di soglia del gate compresa tra 2 e 4 V assicura un comportamento di commutazione affidabile, contribuendo a un controllo preciso in vari circuiti elettronici.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	74 A
Tensione massima drain source	55 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	20 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	200 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.69mm
Carica gate tipica @ Vgs	180 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.54mm
Numero di elementi per chip	1
Tensione diretta del diodo	1.6V
Altezza	8.77mm
Minima temperatura operativa	-55 °C