MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 60 mΩ Miglioramento, 31 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF5305PBF

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Codice RS:
541-1736
Codice Distrelec:
303-41-281
Codice costruttore:
IRF5305PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.54mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

8.77mm

Larghezza

4.69 mm

Distrelec Product Id

30341281

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 31 A, dissipazione di potenza massima di 110 W - IRF5305PBF


Questo MOSFET è stato progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza, garantendo flessibilità e affidabilità. Il funzionamento in modalità enhancement lo rende adatto a vari sistemi che richiedono una commutazione controllata, in particolare negli ambienti industriali e di automazione.

Caratteristiche e vantaggi


• La capacità di corrente continua di drenaggio di 31A supporta le applicazioni più esigenti

• La tensione nominale di 55 V consente una commutazione affidabile

• La bassa resistenza di accensione di 60mΩ riduce la perdita di potenza

• Il design del contenitore TO-220AB migliora le prestazioni termiche

• L'intervallo di tensione gate-source di ±20V consente di soddisfare diverse applicazioni

• L'ottimizzazione della commutazione rapida aumenta l'efficienza complessiva del sistema

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi di controllo dei motori per un funzionamento efficiente

• Applicabile nei circuiti di alimentazione per prestazioni stabili

• Integrato in dispositivi elettronici che richiedono efficaci capacità di commutazione

• Adatto all'impiego in sistemi di energia rinnovabile

Qual è l'intervallo di temperatura per il funzionamento?


Funziona da -55°C a +175°C, quindi è adatto a condizioni estreme.

In che modo il tipo di pacchetto influisce sulle prestazioni?


Il contenitore TO-220AB offre una bassa resistenza termica, migliorando l'efficienza di raffreddamento durante il funzionamento.

È in grado di gestire applicazioni con corrente di drenaggio pulsata?


Sì, supporta correnti di drenaggio pulsate fino a 110A, garantendo prestazioni adeguate per le richieste transitorie.

Di che tipo di transistor si tratta?


Si tratta di un MOSFET Si a canale P, ottimizzato per applicazioni ad alta efficienza.

È compatibile con i processi di assemblaggio automatizzati?


Sì, il design a foro passante consente l'integrazione in sistemi automatizzati e schede di circuito.

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