MOSFET Infineon, canale P, 60 mΩ, 31 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-5895
Codice costruttore:: IRF5305STRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 60 mΩ, 31 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 165-5895
Codice costruttore:: IRF5305STRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 31 A, dissipazione di potenza massima di 110 W - IRF5305STRLPBF

Questo MOSFET a canale P è stato progettato per applicazioni ad alta efficienza, garantendo affidabilità e prestazioni. Impiega la funzionalità enhancement mode, che lo rende versatile per vari circuiti elettronici. Grazie a specifiche robuste, è un'opzione adatta per l'automazione e la gestione dell'alimentazione in ambienti elettrici e meccanici.

Caratteristiche e vantaggi

• Corrente di drenaggio continua massima di 31A
• Tensione massima della sorgente di drenaggio di 55 V
• Configurazione a montaggio superficiale per una perfetta integrazione
• Capacità di dissipazione di potenza massima di 110W per un funzionamento efficiente
• Prestazioni termiche migliorate con una temperatura operativa massima di +175°C
• Bassa resistenza di accensione di 60mΩ per una migliore efficienza

Applicazioni

• Da utilizzare con i comandi del motore
• Adatto per circuiti di alimentazione
• Commutazione elettronica
• Soluzioni per la gestione dell'energia

Qual è la tensione massima di soglia del gate?

La tensione massima di soglia del gate è di 4 V e fornisce un controllo adeguato nella progettazione dei circuiti.

Come gestisce il calore il MOSFET?

La potenza massima dissipata è di 110 W e consente una gestione efficace del calore nelle applicazioni più complesse.

Questo prodotto è compatibile con i progetti a montaggio superficiale?

Sì, è disponibile in un pacchetto di tipo D2PAK progettato specificamente per applicazioni di montaggio superficiale.

Qual è la temperatura minima di esercizio per la funzionalità?

Il dispositivo funziona efficacemente a una temperatura minima di -55°C, garantendo la versatilità in vari ambienti.

Qual è l'impatto della resistenza di accensione sulle prestazioni?

La bassa resistenza massima di drain source, pari a 60mΩ, contribuisce ad aumentare l'efficienza e le prestazioni nelle applicazioni di erogazione di potenza.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	31 A
Tensione massima drain source	55 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	60 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	110 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	9.65mm
Carica gate tipica @ Vgs	63 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.67mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	4.83mm