MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 60 mΩ Miglioramento, 31 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF5305STRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
831-2834
Codice costruttore:
IRF5305STRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.83mm

Larghezza

9.65 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 31 A, dissipazione di potenza massima di 110 W - IRF5305STRLPBF


Questo MOSFET a canale P è stato progettato per applicazioni ad alta efficienza, garantendo affidabilità e prestazioni. Impiega la funzionalità enhancement mode, che lo rende versatile per vari circuiti elettronici. Grazie a specifiche robuste, è un'opzione adatta per l'automazione e la gestione dell'alimentazione in ambienti elettrici e meccanici.

Caratteristiche e vantaggi


• Corrente di drenaggio continua massima di 31A

• Tensione massima della sorgente di drenaggio di 55 V

• Configurazione a montaggio superficiale per una perfetta integrazione

• Capacità di dissipazione di potenza massima di 110W per un funzionamento efficiente

• Prestazioni termiche migliorate con una temperatura operativa massima di +175°C

• Bassa resistenza di accensione di 60mΩ per una migliore efficienza

Applicazioni


• Da utilizzare con i comandi del motore

• Adatto per circuiti di alimentazione

• Commutazione elettronica

• Soluzioni per la gestione dell'energia

Qual è la tensione massima di soglia del gate?


La tensione massima di soglia del gate è di 4 V e fornisce un controllo adeguato nella progettazione dei circuiti.

Come gestisce il calore il MOSFET?


La potenza massima dissipata è di 110 W e consente una gestione efficace del calore nelle applicazioni più complesse.

Questo prodotto è compatibile con i progetti a montaggio superficiale?


Sì, è disponibile in un pacchetto di tipo D2PAK progettato specificamente per applicazioni di montaggio superficiale.

Qual è la temperatura minima di esercizio per la funzionalità?


Il dispositivo funziona efficacemente a una temperatura minima di -55°C, garantendo la versatilità in vari ambienti.

Qual è l'impatto della resistenza di accensione sulle prestazioni?


La bassa resistenza massima di drain source, pari a 60mΩ, contribuisce ad aumentare l'efficienza e le prestazioni nelle applicazioni di erogazione di potenza.

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