MOSFET Infineon, canale P, 65 mΩ, 31 A, IPAK (TO-251), Su foro

Codice RS:: 919-5021
Codice costruttore:: IRFU5305PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 65 mΩ, 31 A, IPAK (TO-251), Su foro

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 75)**

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**prezzo indicativo

Codice RS:: 919-5021
Codice costruttore:: IRFU5305PBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	31 A
Tensione massima drain source	55 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	IPAK (TO-251)
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	65 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	110 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	2.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	63 nC a 10 V
Lunghezza	6.6mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	6.1mm

MOSFET Infineon, canale P, 65 mΩ, 31 A, IPAK (TO-251), Su foro

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MOSFET di potenza a canale P da 40V a 55V, Infineon

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