MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 65 mΩ Miglioramento, 31 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
170-2262
Codice costruttore:
IRFR5305TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

IRFR5305PBF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Tensione diretta Vf

-1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.39mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

Non conforme

Infineon IRFR5305 è un MOSFET di potenza HEXFET a canale P singolo 55V in contenitore D-Pak. Il D-Pak è progettato per il montaggio superficiale utilizzando tecniche di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a onda.

Advanced Process Technology

Commutazione rapida

Classificazione completa a valanga

Senza piombo

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