MOSFET Infineon, canale P, 65 mΩ, 31 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 170-2262
Codice costruttore:: IRFR5305TRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 65 mΩ, 31 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

2000 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,474 €

(IVA esclusa)

0,578 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,474 €	1.422,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 170-2262
Codice costruttore:: IRFR5305TRLPBF
Costruttore:: Infineon

Documentazione Tecnica

Normative

Non conforme

Dettagli prodotto

Infineon IRFR5305 è un MOSFET di potenza HEXFET a canale P singolo 55V in contenitore D-Pak. Il D-Pak è progettato per il montaggio superficiale utilizzando tecniche di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a onda.

Advanced Process Technology
Commutazione rapida
Classificazione completa a valanga
Senza piombo

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	31 A
Tensione massima drain source	55 V
Serie	IRFR5305PBF
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	65 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	110 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	63 nC a 10 V
Lunghezza	6.73mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	7.49mm
Altezza	2.39mm
Tensione diretta del diodo	1.3V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale P, 65 mΩ, 31 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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