MOSFET Infineon, canale N, 65 mΩ, 28 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 913-4809
Codice costruttore:: IRLR2705TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 65 mΩ, 28 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 913-4809
Codice costruttore:: IRLR2705TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di drenaggio continua massima di 28 A, dissipazione di potenza massima di 68 W - IRLR2705TRPBF

Questo MOSFET è stato progettato per garantire prestazioni eccezionali in una vasta gamma di applicazioni elettroniche. Sfruttando i moderni progressi della tecnologia MOSFET, svolge un ruolo significativo nelle applicazioni di commutazione in cui efficienza e affidabilità sono essenziali. Le sue caratteristiche distintive lo rendono un'opzione eccellente per i sistemi di automazione ed elettrici che richiedono un'elevata gestione della corrente e un funzionamento robusto.

Caratteristiche e vantaggi

• L'elevata corrente di drenaggio continua di 28A migliora le prestazioni
• La tensione massima di 55 V aumenta le capacità di commutazione
• La bassa resistenza di accensione di 65mΩ riduce al minimo la perdita di energia
• Funziona efficacemente a temperature fino a +175°C
• Progettato per il montaggio in superficie in un contenitore DPAK TO-252 per garantire l'efficienza
• La configurazione a modalità di potenziamento singola facilita la progettazione dei circuiti

Applicazioni

• Adatto alla gestione dell'energia nell'automazione industriale
• Ideale per la commutazione ad alta efficienza energetica negli alimentatori
• Comunemente utilizzato nei circuiti di controllo dei motori
• Adatto per l'uso in convertitori DC-DC

Qual è la potenza massima dissipata da questo componente?

La potenza massima dissipata è di 68 W, per una gestione efficiente del calore durante il funzionamento.

In che modo l'intervallo di temperatura operativa influisce sull'utilizzo?

Il dispositivo funziona efficacemente tra -55°C e +175°C, rendendolo adatto a varie condizioni ambientali.

Esiste un metodo di installazione specifico consigliato per questo MOSFET?

Il dispositivo è progettato per il montaggio in superficie, utilizzando tecniche come la saldatura per garantire connessioni affidabili.

Questo MOSFET può essere utilizzato in parallelo con altri?

Sì, può essere utilizzato in configurazioni parallele, ma una corretta gestione termica è essenziale per evitare il surriscaldamento.

Quale tipo di azionamento per cancelli è consigliato per ottenere prestazioni ottimali?

Per una commutazione efficiente, si raccomanda un pilotaggio del gate a livello logico, che garantisca il funzionamento del dispositivo entro i livelli di soglia specificati.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	28 A
Tensione massima drain source	55 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	65 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	68 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	25 nC a 5 V
Larghezza	6.22mm
Lunghezza	6.73mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Altezza	2.39mm
Minima temperatura operativa	-55 °C