MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 65 mΩ, 31 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
223-8456
Codice costruttore:
AUIRFR5305TRL
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza HEXFET a canale P singolo per uso automobilistico Infineon in contenitore D2-pak. Il design cellulare dei MOSFET di potenza utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. È utilizzato nel settore automobilistico e in un'ampia varietà di applicazioni grazie alla rapida velocità di commutazione e al dispositivo rinforzato.

Advanced Planar Technology

Classificazione DV/DT dinamica

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

Senza piombo

Conformità RoHS

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