MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 65 mΩ Miglioramento, 31 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
913-4789
Codice costruttore:
IRFR5305TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Tensione diretta Vf

-1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.39mm

Larghezza

6.22 mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 31 A, dissipazione di potenza massima di 110 W - IRFR5305TRPBF


Questo MOSFET offre prestazioni avanzate per varie applicazioni elettroniche. La bassa resistenza di accensione e le elevate capacità di gestione della corrente contribuiscono a un'efficace gestione dell'alimentazione. Grazie al design robusto e alle caratteristiche elettriche affidabili, questo componente è adatto a vari ambienti nei sistemi di automazione ed elettronici.

Caratteristiche e vantaggi


• Raggiunge una bassa resistenza all'accensione per una maggiore efficienza

• Supporta una corrente di drenaggio continua massima di 31A

• Progettato per facilitare l'uso in applicazioni di montaggio superficiale

• In grado di funzionare in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C

• Facilita la velocità di commutazione per migliorare le prestazioni

• Consente una dissipazione di potenza massima di 110W per diverse applicazioni

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'energia

• Adatto per il controllo dei motori

• Impiegato negli alimentatori switching per dispositivi elettronici

• Utilizzato nei circuiti automobilistici per migliorare l'efficienza

Quali sono le tecniche di saldatura consigliate per l'installazione?


Per ottenere risultati ottimali, utilizzare tecniche di saldatura in fase di vapore, a infrarossi o a onda, garantendo uno stress termico minimo sul componente.

È in grado di gestire ambienti ad alta temperatura?


Sì, funziona efficacemente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C, il che lo rende adatto a condizioni estreme.

Qual è il significato di un basso RDS(on)?


La bassa RDS(on) riduce le perdite di potenza, migliorando l'efficienza complessiva e diminuendo la generazione di calore durante il funzionamento.

Come posso garantire un comportamento di commutazione accurato?


Implementare circuiti di pilotaggio del gate adatti per ottenere caratteristiche di accensione e spegnimento precise, seguendo le tensioni di innesco suggerite.

È compatibile con i layout dei PCB standard?


Sì, è stato progettato in un packaging DPAK, che consente una facile integrazione nei tipici progetti di PCB senza la necessità di modifiche speciali.

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