MOSFET Infineon, canale P, 65 mΩ, 31 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 913-4789
Codice costruttore:: IRFR5305TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 65 mΩ, 31 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Prezzo per Unità (Su Bobina da 2000)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
2000 - 2000	0,501 €	1.002,00 €
4000 +	0,476 €	952,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 913-4789
Codice costruttore:: IRFR5305TRPBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
SmallSignal_SmallPower_MOSFETs-Selection guide

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	31 A
Tensione massima drain source	55 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	65 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	110 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	63 nC a 10 V
Larghezza	6.22mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.73mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	2.39mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale P, 65 mΩ, 31 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P da 40V a 55V, Infineon

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