MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 65 mΩ, 31 A, 3 Pin, TO-252, Superficie AUIRFR5305TRL

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

12,00 €

(IVA esclusa)

14,65 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 11.615 unità in spedizione dal 25 febbraio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 202,40 €12,00 €
25 - 452,088 €10,44 €
50 - 1201,968 €9,84 €
125 - 2451,824 €9,12 €
250 +1,704 €8,52 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
223-8457
Codice costruttore:
AUIRFR5305TRL
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Tensione diretta Vf

-1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza HEXFET a canale P singolo per uso automobilistico Infineon in contenitore D2-pak. Il design cellulare dei MOSFET di potenza utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. È utilizzato nel settore automobilistico e in un'ampia varietà di applicazioni grazie alla rapida velocità di commutazione e al dispositivo rinforzato.

Advanced Planar Technology

Classificazione DV/DT dinamica

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

Senza piombo

Conformità RoHS

Link consigliati