MOSFET Infineon, canale N 55 V, 65 mΩ Miglioramento, 28 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRLR2705TRPBF
- Codice RS:
- 830-3348
- Codice costruttore:
- IRLR2705TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 20 unità*
9,46 €
(IVA esclusa)
11,54 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 540 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 980 unità in spedizione dal 22 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,473 € | 9,46 € |
| 100 - 180 | 0,365 € | 7,30 € |
| 200 - 480 | 0,34 € | 6,80 € |
| 500 - 980 | 0,316 € | 6,32 € |
| 1000 + | 0,293 € | 5,86 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 830-3348
- Codice costruttore:
- IRLR2705TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 28A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 65mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 25nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 68W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -16V, +16V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Larghezza | 6.22mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 28A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 65mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 68W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -16V, +16V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.39mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Larghezza 6.22mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di drenaggio continua massima di 28 A, dissipazione di potenza massima di 68 W - IRLR2705TRPBF
Questo MOSFET è stato progettato per garantire prestazioni eccezionali in una vasta gamma di applicazioni elettroniche. Sfruttando i moderni progressi della tecnologia MOSFET, svolge un ruolo significativo nelle applicazioni di commutazione in cui efficienza e affidabilità sono essenziali. Le sue caratteristiche distintive lo rendono un'opzione eccellente per i sistemi di automazione ed elettrici che richiedono un'elevata gestione della corrente e un funzionamento robusto.
Caratteristiche e vantaggi
• L'elevata corrente di drenaggio continua di 28A migliora le prestazioni
• La tensione massima di 55 V aumenta le capacità di commutazione
• La bassa resistenza di accensione di 65mΩ riduce al minimo la perdita di energia
• Funziona efficacemente a temperature fino a +175°C
• Progettato per il montaggio in superficie in un contenitore DPAK TO-252 per garantire l'efficienza
• La configurazione a modalità di potenziamento singola facilita la progettazione dei circuiti
Applicazioni
• Adatto alla gestione dell'energia nell'automazione industriale
• Ideale per la commutazione ad alta efficienza energetica negli alimentatori
• Comunemente utilizzato nei circuiti di controllo dei motori
• Adatto per l'uso in convertitori DC-DC
Qual è la potenza massima dissipata da questo componente?
La potenza massima dissipata è di 68 W, per una gestione efficiente del calore durante il funzionamento.
In che modo l'intervallo di temperatura operativa influisce sull'utilizzo?
Il dispositivo funziona efficacemente tra -55°C e +175°C, rendendolo adatto a varie condizioni ambientali.
Esiste un metodo di installazione specifico consigliato per questo MOSFET?
Il dispositivo è progettato per il montaggio in superficie, utilizzando tecniche come la saldatura per garantire connessioni affidabili.
Questo MOSFET può essere utilizzato in parallelo con altri?
Sì, può essere utilizzato in configurazioni parallele, ma una corretta gestione termica è essenziale per evitare il surriscaldamento.
Quale tipo di azionamento per cancelli è consigliato per ottenere prestazioni ottimali?
Per una commutazione efficiente, si raccomanda un pilotaggio del gate a livello logico, che garantisca il funzionamento del dispositivo entro i livelli di soglia specificati.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 65 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 65 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 65 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRFR5305TRPBF
- MOSFET Infineon 65 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRFR5305TRLPBF
- MOSFET Infineon 65 mΩ 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 65 mΩ 3 Pin Superficie AUIRFR5305TRL
- MOSFET Infineon 40 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 27 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie