MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 170 mΩ, 20 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

566,00 €

(IVA esclusa)

690,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2000 - 20000,283 €566,00 €
4000 +0,276 €552,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
214-4473
Codice costruttore:
IRLR9343TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

170mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

79W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Questo HEXFET per audio digitale Infineon è progettato appositamente per applicazioni di amplificatori audio Questo MOSFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio.

È dotato di capacità a effetto valanga ripetitivo per una maggiore robustezza e affidabilità

Link consigliati