MOSFET Infineon, canale Tipo P -55 V, 175 mΩ Miglioramento, -11 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
262-6769
Codice costruttore:
IRFR9024NTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-55V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

175mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

38W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa per area di silicio. Fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Completamente resistente a valanghe

Commutazione rapida

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