MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 175 mΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR9024NTRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-4088
Codice costruttore:
IRFR9024NTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

175mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Dissipazione di potenza massima Pd

38W

Tensione diretta Vf

-1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.39mm

Larghezza

6.22mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 11 A, dissipazione di potenza massima di 38 W - IRFR9024NTRPBF


Questo MOSFET a canale P, che utilizza la tecnologia HEXFET, offre prestazioni efficienti in una vasta gamma di applicazioni elettroniche. Le sue caratteristiche di robustezza ne fanno un componente fondamentale per gli utenti dei settori dell'automazione, dell'elettronica, dell'elettricità e della meccanica. Il prodotto è in grado di gestire carichi di corrente elevati e di garantire un controllo efficace nei circuiti di potenza.

Caratteristiche e vantaggi


• La corrente di drenaggio continua massima di 11A facilita le applicazioni ad alte prestazioni

• Può sopportare tensioni di drain-source fino a 55V per una maggiore affidabilità

• Il basso valore di RDS(on) di 175 mΩ riduce al minimo la perdita di potenza durante il funzionamento

• Il design della modalità di potenziamento ottimizza l'efficienza per vari utilizzi

• Il package DPAK TO-252 a montaggio superficiale semplifica l'integrazione e l'assemblaggio dei PCB

Applicazioni


• Gestione efficace dell'energia nei circuiti di alimentazione

• Adatto per il controllo dei motori che necessitano di una corrente elevata

• Utilizzato nei convertitori DC-DC per una maggiore efficienza

• Ideale per la commutazione del carico grazie a tempi di risposta rapidi

• Impiegato nei sistemi di automazione industriale per una maggiore affidabilità

Qual è la potenza massima dissipata da questo componente?


Ha una capacità di dissipazione di potenza massima di 38W.

Come gestisce il prodotto le tensioni di gate?


Il gate può ospitare tensioni comprese tra -20 V e +20 V, consentendo una certa flessibilità di progettazione.

Quali sono le prestazioni termiche del dispositivo?


Funziona in modo sicuro a una temperatura massima di 150 °C, garantendo l'affidabilità in ambienti diversi.

È facile da montare su un PCB?


Sì, il contenitore DPAK TO-252 consente il montaggio superficiale su circuiti stampati.

Come si comporta questo MOSFET a temperature diverse?


Rimane funzionale in un ampio intervallo di temperature, da -55 °C a +150 °C, soddisfacendo le diverse esigenze applicative.

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