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    MOSFET Infineon, canale P, 175 mΩ, 11 A, IPAK (TO-251), Su foro

    1370 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

    Prezzo per Cadauno (in una stecca da 75)

    0,624 €

    (IVA esclusa)

    0,761 €

    (IVA inclusa)

    Unità
    Unità
    Per unità
    Per stecca*
    75 - 750,624 €46,80 €
    150 - 3000,518 €38,85 €
    375 - 6750,481 €36,075 €
    750 - 18000,449 €33,675 €
    1875 +0,418 €31,35 €

    *prezzo indicativo

    Codice RS:
    919-4911
    Codice costruttore:
    IRFU9024NPBF
    Costruttore:
    Infineon

    Paese di origine:
    MX
    Attributo
    Valore
    Tipo di canaleP
    Corrente massima continuativa di drain11 A
    Tensione massima drain source55 V
    SerieHEXFET
    Tipo di packageIPAK (TO-251)
    Tipo di montaggioSu foro
    Numero pin3
    Resistenza massima drain source175 mΩ
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate massima4V
    Tensione di soglia gate minima2V
    Dissipazione di potenza massima38 W
    Configurazione transistorSingolo
    Tensione massima gate source-20 V, +20 V
    Lunghezza6.73mm
    Massima temperatura operativa+150 °C
    Materiale del transistorSi
    Carica gate tipica @ Vgs19 nC a 10 V
    Numero di elementi per chip1
    Larghezza2.39mm
    Altezza6.22mm
    Minima temperatura operativa-55 °C

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