MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 170 mΩ, 20 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRLR9343TRPBF
- Codice RS:
- 214-4474
- Codice costruttore:
- IRLR9343TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-4474
- Codice costruttore:
- IRLR9343TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 170mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 79W | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 47nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 170mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 79W | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 47nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo HEXFET per audio digitale Infineon è progettato appositamente per applicazioni di amplificatori audio Questo MOSFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio.
È dotato di capacità a effetto valanga ripetitivo per una maggiore robustezza e affidabilità
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