MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 65 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante IRLU024NPBF

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Codice RS:
543-0591
Codice costruttore:
IRLU024NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

IPAK

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Altezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.39 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, 17A di corrente continua massima di drain, 55V di tensione massima di source drain - IRLU024NPBF


Questo MOSFET è un dispositivo di potenza ad alte prestazioni progettato specificamente per le applicazioni più esigenti nei settori elettrico e meccanico. Presenta una configurazione in modalità enhancement e funziona efficacemente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C. Con dimensioni compatte di 6,73 mm di lunghezza, 2,39 mm di larghezza e 6,22 mm di altezza, può essere facilmente integrato in varie configurazioni elettroniche.

Caratteristiche e vantaggi


• Raggiunge una corrente di drenaggio continua massima di 17A

• Offre una tensione massima drain-source di 55V

• Supporta una dissipazione di potenza massima di 45W

• Design robusto adatto ad applicazioni ad alta temperatura

• Compatibile con il montaggio a foro passante per un'installazione versatile

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi di controllo dei motori per una regolazione precisa

• Adatto agli alimentatori a commutazione per una conversione efficiente dell'energia

• Efficace nelle apparecchiature di automazione industriale per prestazioni affidabili

• Utilizzato nell'elettronica di consumo per migliorare la gestione dell'energia

• Ideale per circuiti di gestione dell'alimentazione che richiedono una corrente elevata

Qual è il significato della resistenza di accensione in questo dispositivo?


La bassa Rds(on) di 65mΩ garantisce una perdita minima di energia durante il funzionamento, migliorando l'efficienza complessiva dei circuiti progettati con questo specifico dispositivo. Questa caratteristica favorisce anche la capacità di erogare correnti più elevate senza problemi di surriscaldamento nelle applicazioni elettroniche.

Come si comporta questo MOSFET in ambienti ad alta temperatura?


Questo dispositivo è stato progettato per funzionare in modo affidabile a temperature comprese tra -55°C e +175°C, il che lo rende adatto ad ambienti soggetti a notevoli sollecitazioni termiche, come i macchinari industriali e le applicazioni automobilistiche.

Può gestire correnti di drenaggio pulsate?


Sì, il dispositivo supporta correnti di drenaggio pulsate fino a 72A, offrendo flessibilità in varie applicazioni di commutazione dinamica in cui sono necessarie brevi raffiche di corrente elevata.

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