MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 75 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante IRFU024NPBF
- Codice RS:
- 168-6296
- Codice costruttore:
- IRFU024NPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 168-6296
- Codice costruttore:
- IRFU024NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 17A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | IPAK | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 75mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 20nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 45W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 2.39 mm | |
| Altezza | 6.22mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 17A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package IPAK | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 75mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 20nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 45W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 2.39 mm | ||
Altezza 6.22mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 17 A, dissipazione di potenza massima di 45 W - IRFU024NPBF
Questo MOSFET a canale N ad alte prestazioni è adatto a diverse applicazioni elettriche. Con specifiche che includono una corrente di drenaggio continua massima di 17A e una tensione massima di drenaggio-sorgente di 55V, questo componente è importante per i professionisti dei settori dell'automazione e dell'elettronica. La capacità di operare in ambienti ad alta temperatura contribuisce alla sua affidabilità per i progetti più impegnativi.
Caratteristiche e vantaggi
• Dissipazione di potenza massima fino a 45W per un funzionamento robusto
• La bassa resistenza drain-source di 75mΩ aumenta l'efficienza energetica
• Soglia massima del gate di 4V per migliorare le prestazioni
• La configurazione a singolo transistor semplifica l'integrazione dei progetti
• Progettato per il montaggio a foro passante in un contenitore TO-251 per una facile installazione
Applicazioni
• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'energia per una maggiore efficienza
• Ideale per la commutazione ad alta frequenza
• Adatto per l'elettronica automobilistica, garantisce prestazioni costanti
• Impiegato nell'automazione industriale per i sistemi di controllo
• Appropriato per le telecomunicazioni per mantenere l'integrità del segnale
Qual è la massima corrente di drenaggio continua supportata?
La corrente di drenaggio continua massima supportata è di 17A e lo rende adatto a varie applicazioni che richiedono una gestione significativa della potenza.
Come influisce la temperatura sulle prestazioni?
Il componente funziona efficacemente in un ampio intervallo di temperature, da -55°C a +175°C, garantendo la stabilità in condizioni estreme.
È in grado di gestire tensioni gate-source variabili?
Sì, può ospitare tensioni gate-source da -20 V a +20 V, garantendo flessibilità nella progettazione dei circuiti.
Quali sono le implicazioni di una bassa resistenza drain-source?
La bassa resistenza di drain-source, pari a 75mΩ, riduce la generazione di calore e migliora l'efficienza, aspetto cruciale per le applicazioni ad alte prestazioni.
MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
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