MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 20 mΩ Miglioramento, 70 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF4905STRLPBF
- Codice RS:
- 831-2819
- Codice Distrelec:
- 304-44-444
- Codice costruttore:
- IRF4905STRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 831-2819
- Codice Distrelec:
- 304-44-444
- Codice costruttore:
- IRF4905STRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 70A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 20mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | -1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 120nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 170W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 9.65mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 70A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf -1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 120nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 170W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 9.65mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 70 A, dissipazione di potenza massima di 170 W - IRF4905STRLPBF
Questo MOSFET ad alta corrente è adatto a diverse applicazioni nell'ambito dell'automazione e dell'elettronica. Con una corrente di drain continua massima di 70A, funziona con tensioni drain-source fino a 55V. La sua configurazione in modalità enhancement soddisfa i requisiti di prestazione, mentre il basso RDS(on) massimizza l'efficienza energetica. Progettato per applicazioni ad alta potenza, questo MOSFET offre una stabilità termica che lo rende adatto a condizioni operative rigorose.
Caratteristiche e vantaggi
• Migliora l'efficienza del sistema grazie ai bassi valori di resistenza all'accensione
• Funziona in modo efficace in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C
• Supporta velocità di commutazione elevate per migliorare le prestazioni
• Design robusto per condizioni valanghive ripetitive
• Fornito in un pacchetto D2PAK TO-263 per un semplice montaggio in superficie
Applicazioni
• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'energia e nei convertitori
• Appropriato per il controllo motorio che richiedono un'elevata efficienza
• Integrato negli alimentatori a commutazione per migliorare le prestazioni
• Applicabile in ambienti automobilistici che richiedono un controllo affidabile
• Impiegato nell'automazione industriale che richiede una notevole gestione della potenza
A quale temperatura massima può funzionare questo dispositivo?
Il dispositivo ha una temperatura operativa massima di +150°C, che garantisce la stabilità in condizioni ambientali variabili.
In che modo la bassa RDS(on) è vantaggiosa per la progettazione dei circuiti?
La bassa RDS(on) riduce al minimo le perdite di conduzione, migliorando l'efficienza complessiva del circuito e consentendo un funzionamento più freddo.
Questo componente è in grado di gestire correnti pulsate?
Sì, è in grado di gestire correnti di drenaggio pulsate fino a 280 A, rendendolo adatto ad applicazioni dinamiche.
Quali sono i parametri chiave per selezionare le tensioni di pilotaggio compatibili?
La tensione gate-to-source deve rimanere nell'intervallo compreso tra -20 V e +20 V per garantire un funzionamento efficace senza rischio di danni.
È adatto alle applicazioni di commutazione ad alta frequenza?
Il dispositivo è progettato per una commutazione rapida, che lo rende adatto a funzioni operative ad alta frequenza nei circuiti elettronici.
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