MOSFET Infineon, canale P, 20 mΩ, 70 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 831-2819
Codice costruttore:: IRF4905STRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 20 mΩ, 70 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1pz in confezione da 5**

3,072 €

(IVA esclusa)

3,748 €

(IVA inclusa)

205 disponibile per la consegna entro 1 - 2 giorni lavorativi per ordini pervenuti entro le 19:00 (magazzini in Europa). Accedi e verifica i tempi di consegna nel carrello*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Clicca qui per verificare la disponibilità

Unità	Per unità	Per confezione**
5 - 20	3,072 €	15,36 €
25 - 45	2,702 €	13,51 €
50 - 120	2,52 €	12,60 €
125 - 245	2,366 €	11,83 €
250 +	2,182 €	10,91 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 831-2819
Codice costruttore:: IRF4905STRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 70 A, dissipazione di potenza massima di 170 W - IRF4905STRLPBF

Questo MOSFET ad alta corrente è adatto a diverse applicazioni nell'ambito dell'automazione e dell'elettronica. Con una corrente di drain continua massima di 70A, funziona con tensioni drain-source fino a 55V. La sua configurazione in modalità enhancement soddisfa i requisiti di prestazione, mentre il basso RDS(on) massimizza l'efficienza energetica. Progettato per applicazioni ad alta potenza, questo MOSFET offre una stabilità termica che lo rende adatto a condizioni operative rigorose.

Caratteristiche e vantaggi

• Migliora l'efficienza del sistema grazie ai bassi valori di resistenza all'accensione
• Funziona in modo efficace in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C
• Supporta velocità di commutazione elevate per migliorare le prestazioni
• Design robusto per condizioni valanghive ripetitive
• Fornito in un pacchetto D2PAK TO-263 per un semplice montaggio in superficie

Applicazioni

• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'energia e nei convertitori
• Appropriato per il controllo motorio che richiedono un'elevata efficienza
• Integrato negli alimentatori a commutazione per migliorare le prestazioni
• Applicabile in ambienti automobilistici che richiedono un controllo affidabile
• Impiegato nell'automazione industriale che richiede una notevole gestione della potenza

A quale temperatura massima può funzionare questo dispositivo?

Il dispositivo ha una temperatura operativa massima di +150°C, che garantisce la stabilità in condizioni ambientali variabili.

In che modo la bassa RDS(on) è vantaggiosa per la progettazione dei circuiti?

La bassa RDS(on) riduce al minimo le perdite di conduzione, migliorando l'efficienza complessiva del circuito e consentendo un funzionamento più freddo.

Questo componente è in grado di gestire correnti pulsate?

Sì, è in grado di gestire correnti di drenaggio pulsate fino a 280 A, rendendolo adatto ad applicazioni dinamiche.

Quali sono i parametri chiave per selezionare le tensioni di pilotaggio compatibili?

La tensione gate-to-source deve rimanere nell'intervallo compreso tra -20 V e +20 V per garantire un funzionamento efficace senza rischio di danni.

È adatto alle applicazioni di commutazione ad alta frequenza?

Il dispositivo è progettato per una commutazione rapida, che lo rende adatto a funzioni operative ad alta frequenza nei circuiti elettronici.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	70 A
Tensione massima drain source	55 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	20 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	170 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	9.65mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	120 nC a 10 V
Lunghezza	10.67mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	4.83mm
Tensione diretta del diodo	1.3V