MOSFET Infineon, canale Tipo P -55 V, 20 mΩ, -42 A, TO-263, Superficie AUIRF4905STRL
- Codice RS:
- 260-5059
- Codice costruttore:
- AUIRF4905STRL
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 260-5059
- Codice costruttore:
- AUIRF4905STRL
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -42A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 20mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 170W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 53nC | |
| Tensione diretta Vf | -1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Larghezza | 4.83 mm | |
| Altezza | 15.88mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id -42A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -55V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 170W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 53nC | ||
Tensione diretta Vf -1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Larghezza 4.83 mm | ||
Altezza 15.88mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza HEXFET a canale P Infineon è progettato specificamente per le applicazioni automobilistiche. Questo MOSFET di potenza utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio.
Tecnologia di processo avanzata
Resistenza all'accensione estremamente bassa
Commutazione rapida
Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax
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