MOSFET Infineon, canale Tipo P -55 V, 20 mΩ, -42 A, TO-263, Superficie AUIRF4905STRL
- Codice RS:
- 260-5059
- Codice costruttore:
- AUIRF4905STRL
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
5,98 €
(IVA esclusa)
7,30 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 210 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,98 € |
| 10 - 24 | 5,68 € |
| 25 - 49 | 5,56 € |
| 50 - 99 | 5,20 € |
| 100 + | 4,84 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 260-5059
- Codice costruttore:
- AUIRF4905STRL
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -42A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 20mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 53nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 170W | |
| Tensione diretta Vf | -1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 15.88mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id -42A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -55V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 53nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 170W | ||
Tensione diretta Vf -1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 15.88mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza HEXFET a canale P Infineon è progettato specificamente per le applicazioni automobilistiche. Questo MOSFET di potenza utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio.
Tecnologia di processo avanzata
Resistenza all'accensione estremamente bassa
Commutazione rapida
Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax
Link consigliati
- MOSFET Infineon 20 mΩ TO-263, Superficie
- MOSFET Infineon 60 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 20 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 60 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRF5305STRLPBF
- MOSFET Infineon 20 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRF4905STRLPBF
- MOSFET Infineon 2 180 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 117 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 5.3 mΩ TO-263, Superficie
