MOSFET Infineon, canale Tipo P -55 V, 20 mΩ, -42 A, TO-263, Superficie

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Codice RS:
260-5058
Codice costruttore:
AUIRF4905STRL
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-42A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-55V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

53nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

4.83 mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

15.88mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza HEXFET a canale P Infineon è progettato specificamente per le applicazioni automobilistiche. Questo MOSFET di potenza utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio.

Tecnologia di processo avanzata

Resistenza all'accensione estremamente bassa

Commutazione rapida

Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax

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