MOSFET Infineon, canale Tipo P -55 V, 20 mΩ, -42 A, TO-263, Superficie

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Codice RS:
260-5058
Codice costruttore:
AUIRF4905STRL
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-42A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

53nC

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

-1.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

15.88mm

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza HEXFET a canale P Infineon è progettato specificamente per le applicazioni automobilistiche. Questo MOSFET di potenza utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio.

Tecnologia di processo avanzata

Resistenza all'accensione estremamente bassa

Commutazione rapida

Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax

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