MOSFET Infineon, canale Tipo P -55 V, 20 mΩ, -42 A, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

3272,80 €

(IVA esclusa)

3992,80 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 11 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
800 +4,091 €3.272,80 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
260-5058
Codice costruttore:
AUIRF4905STRL
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-42A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

53nC

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

4.83 mm

Altezza

15.88mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza HEXFET a canale P Infineon è progettato specificamente per le applicazioni automobilistiche. Questo MOSFET di potenza utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio.

Tecnologia di processo avanzata

Resistenza all'accensione estremamente bassa

Commutazione rapida

Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax

Link consigliati