MOSFET Infineon, canale P, 2,8 mΩ, 180 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 857-8674
- Codice costruttore:
- IPB180P04P403ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
1607,00 €
(IVA esclusa)
1961,00 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 1,607 € | 1.607,00 € |
| 2000 - 4000 | 1,566 € | 1.566,00 € |
| 5000 + | 1,527 € | 1.527,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 857-8674
- Codice costruttore:
- IPB180P04P403ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | P | |
| Corrente massima continuativa di drain | 180 A | |
| Tensione massima drain source | 40 V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Tipo di package | D2PAK (TO-263) | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima drain source | 2,8 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 4V | |
| Tensione di soglia gate minima | 2V | |
| Dissipazione di potenza massima | 150 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Lunghezza | 10mm | |
| Larghezza | 9.25mm | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 190 nC @ 10 V | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Altezza | 4.4mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale P | ||
Corrente massima continuativa di drain 180 A | ||
Tensione massima drain source 40 V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Tipo di package D2PAK (TO-263) | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima drain source 2,8 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 4V | ||
Tensione di soglia gate minima 2V | ||
Dissipazione di potenza massima 150 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Lunghezza 10mm | ||
Larghezza 9.25mm | ||
Carica gate tipica @ Vgs 190 nC @ 10 V | ||
Materiale del transistor Si | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Altezza 4.4mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Non applicabile
MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™
Classificazione Avalanche
Perdite di potenza a bassa conduzione e commutazione
Placcatura senza piombo; conformità Rohs
Contenitori standard
Serie a canale P OptiMOS™: gamma di temperatura da -55 °C a +175 °C
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