MOSFET Infineon, canale P, 2,8 mΩ, 180 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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1607,00 €

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2000 - 40001,566 €1.566,00 €
5000 +1,527 €1.527,00 €

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Codice RS:
857-8674
Codice costruttore:
IPB180P04P403ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

180 A

Tensione massima drain source

40 V

Serie

OptiMOS P

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

7

Resistenza massima drain source

2,8 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

150 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

10mm

Larghezza

9.25mm

Carica gate tipica @ Vgs

190 nC @ 10 V

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+175 °C

Altezza

4.4mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Non applicabile

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™


I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratteristiche includono perdita ultra-bassa di commutazione, resistenza in stato attivo e valori nominali dell'effetto valanga, oltre alla qualifica AEC per soluzioni nel settore automobilistico. Le applicazioni includono: CC-CC, controllo di motori, settore automobilistico ed eMobility.

Modalità potenziata
Classificazione Avalanche
Perdite di potenza a bassa conduzione e commutazione
Placcatura senza piombo; conformità Rohs
Contenitori standard
Serie a canale P OptiMOS™: gamma di temperatura da -55 °C a +175 °C


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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